| 为访问2048个存储单元，要用11位地址A0～A10，可以把A0～A5用作6位行地址，经X译码器产生64个译码信号来选择64行，把A6～A10用作5位列地址，经Y译码器产生32个译码信号来选择32列，这样，用11位地址A0～A10就可以选中行、列交叉处的一个存储单元。为了用Y的译码信号选择一列，在每个存储单元处都要加两个MOS管T7、T8，用于选择把指定列的全部存储单元的T5、T6管与该列的位线1、位线2连通，而其它各列的全部存储单元都与对应列的位线1、位线2断开。当一个存储单元被选中，它的字线选择将把该存储单元的T5、T6管导通，列线选择将把该存储单元的T7、T8管导通。若写允许/WE信号为0（低电平），执行写操作，把写入数据DIN经T5、T6管、T7、T8管写入触发器；若/WE信号为1（高电平），执行读操作，触发器的状态经T5、T6管、T7、T8管和位线1、位线2送到读出放大器，得到读出数据信号DOUT。/CS是片选信号，用于实现静态存储器的字数扩展控制。加上T7、T8管后，一个存储单元总计用8个MOS管。 若一片存储器芯片的容量为2048*8，理论上，可以想象为一个芯片内有8套如图4.8所示的线路。  图4.8 2K静态存储器芯片逻辑组成框图 |