| CPU向动态存储器送地址，是一次完成的，由存储器芯片内部的行地址和列地址锁存器线路分先后接受行、列地址； 执行读操作时，为了保证正常读出数据，应在列地址锁存前建立读写命令信号 /WE（为高电位）， 应在列地址锁存信号撤消后再结束 /WE信号，读出数据送到DOUT引脚。 执行写操作时，读写命令信号 /WE（为低电位），应在列地址锁存前建立，写入数据DIN也应在列地址锁存前建立，/WE和写入数据应保持一定的时间。 动态存储器是破坏性读出，读操作之后必须跟着执行写操作，此时/WE为先高（执行读）后低（执行写），这一跳变时间要保证读、写操作的正常执行。  图4.6 动态存储器的读写时序波形图 |