这一存储单元的运行情况是：当字线为高电平时，MOS管T导通，电源经电容与位线连通，依据位线上的电位是高还是低，以及电容CS上有无电荷的不同组合情况，MOS管T中会有有电流流过或无电流流过两种不同局面；当字线为低电平时，MOS管T截止，电容CS上有无电荷的情况不会发生变化。
对这种单管存储单元的读写过程简述如下：
写数据时，先使字线为高电平，则T管导通，若数据线为低电平（写1）且电容CS中未存储电荷，则电源VDD将向电容充电，使CS中存储上一定数量的电荷，表示1信号已写入存储单元，若数据线为高电平（写0）且电容CS中已存储有电荷，则将会使电容CS完成放电，使CS中无存储电荷，表示0信号已写入存储单元；如写入的数据与CS中原存储信息相同，则CS中原存储有无电荷的情形不会发生变化。
读数据时，先使数据线预充电至高电平，当字线的高电平到来后，则T管导通，若电容CS中原存储有电荷（存储1信号），电容CS就要放电，则会使数据线的电位由高变低，若CS中未存储有电荷（存储0信号），数据线的电位不会变化。若在数据线的一端接上一个高灵敏度的放大器，就可以检测出数据线上的这种不同的变化情况，从而区分出读出来的数据是1还是0。请注意两件事：一是读操作过程会使电容CS中原存储的电荷（存储1信号）丢失，这就是通常说的动态存储器的破坏性读出的含意。为了保持原记忆内容，必须在读操作之后立刻跟随一次写回操作，这被称为预充电延迟。在预充电延迟完成之前，是不能开始下一次的读操作的，动态存储器的读写周期显然比它的数据读出时间长得多。二是提供数据线信号与字线信号的时间是有先后关系的，为此，向动态存储器的存储单元提供地址，是按先送行地址和再送列地址的次序分别完成的；还有另外一个一定要分别处理行列地址的原因，就是对动态存储器必须定期刷新，例如，每2mS应对所有存储单元至少进行一次刷新操作，来补偿电容CS漏电现象造成的电荷损失，确保所存储的信息不会丢失，这种刷新操作是以行为单位执行的，此时只需提供行地址即可，与列地址无关。
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