关于手工拨入微指令的操作过程，我们已在第三章说明过了。实现中要解决的三个问题是：

　·控存读写在时间上的予盾，即执行每一条微指令的过程，也正是读取下一条微指令的过程，把二者的执行过程从时间上重迭起来，以提高执行微指令的速度，增加计算机处理性能，这就是流水线技术的概念。为此，必须设置微指令寄存器，使读出的下一条微指令的内容送到该寄存器的输入端，等待CP脉冲的到来，以完成打入操作； 而该寄存器的输出正是本条微指令的内容，正在控制计算机各部件完成本步骤的操作功能。如果此时还要向控存写入微指令，与上述读操作是矛盾的。解决办法不外如下两种：

　　在执行一条微指令的期间(微周期)，分前后两段时间，分别完成控存的写、读操作，这使每条微指令的最短执行时间，至少要等于两个控存访问周期。

　　或设置一个不读控存的微指令周期，专门用于控存写操作。在此周期内，封锁有关的几处的CP脉冲，并由少量专门的电路提供控存写入操作要用到的控制信号。看来，在教学计算机中选用这后一种方案更合理些，但我们还是用了前一种方案，详述从略。

　·获得控存写入操作的地址
　　在手工拨入微指令前，要用水平板上的16位开关的低10位拨入控存地址。此时，是把开关拨好的地址值经选通门送到教学机的内部总线，再送入程序计数器PC中和地址寄存器AR中，至此就把控存地址送到了地址总线，并作为控存的地址来源之一。以后每写入一条微指令，使PC加1送PC和AR，作为写入下一条微指令的控存地址，支持连续写入操作。

　·提供控存写入操作的数据(微指令内容)
　　在手工拨入微指令的过程中，微指令是56位字长，而拨数开关只有16位。为此，需分4次拨入。为了尽量少影响控存的读操作，在教学机中设置了一个56位的控存写入寄存器LDR，分成4个16位的段(最高位的段只有8位)，各段依次接收16位数据开关拨入的16位微码，待4次拨入完成后，集中一次56位同时写入控存。具体实现方案是：

　　16位开关所拨内容经选通门送到内部总线IB，16位的IB接到了四段LDR的输入端。

　　控存写入寄存器LDR由7片8D寄存器器件实现，每两片组成一段(最高段仅用1片)，分别用不同的打入时钟信号控制打入操作。LDR的56位输出直接送到控存的数据入出端，用W/R读写信号控制写入(W/R为低是写)操作。

　　图3.16 是实现控存写入的有关逻辑电路示意图。


图3.16 实现控存写入的逻辑线路

　　在通过LDMC指令向控存写入微指令时，用到了LDMC指令的三个默认参数，即微码在内存区的首地址，要写入的微指令的条数，要写的微指令在控存中的首地址，它们分别放在通用寄存器R1,R2和R3中。这条指令执行时，存在与手工拨入微指令同样的三个问题，即用R1内容作地址，依次4次读内存内容到内部总线，并依次写进LDR的四段，拼出一条待写入的微指令字； 然后用R3的内容作控存地址(用R3内容送地址寄存器实现)，并且一次完成控存写入操作。用到的电路与图3.6类似，只是变开关内容送IB为内存读出内容送IB，变PC内容送AR为R3内容送AR，变手工按单步按键操作为计算机执行指令，请参见逻辑图有关部分与LDMC指令相应的微程序段。