本章小结： 　　主存储器是计算机系统的三大组成部分之一。现代计算机系统以存储器为中心，因此，主存储器是整个计算机系统中数据存储和交换的中心。 　　本章的基本概念比较多，希望掌握如下几个问题： 　　1．存储器的主要性能参数有3个：容量、速度和价格。 　　表示存储容量最常用的单位是字节（Byte），并且要用K、M、G、T等单位共同来表示。要记住这些单位的意义和大小，如1T＝240，1G＝230，1M＝220，1K＝210。 衡量存储器工作速度的最重要参数是访问周期Tc：连续启动两次独立的访问存储器操作所需要的最小时间间隔。 　　2．计算机系统中常用的存储器 　　静态随机访问存储器SRAM，SRAM不需要刷新，读出之后不需要重写，工作速度比较高，但存储容量小，价格贵，功耗大。 　　动态随机访问存储器DRAM，DRAM需要刷新，破坏性读出，存储容量大，价格便宜，功耗小，速度比较高。 　　只读存储器ROM用来保存一些固定不变的程序或数据，断电以后所保存的数据不丢失。有5种常用的ROM： 　　MROM只能由生产厂家在生产芯片的过程中写入，用户无法改写。PROM允许用户写入一次，以后只能读出，不能改写。 　　EPROM不仅可以由用户写入，而且允许用紫外线擦除已经写入的内容。 　　EPROM可以直接用电信号来擦除数据。 　　闪速存储器（flash memory）能够按块为单位擦除。 　　3．存储器的扩展方法 　　要求：熟练掌握存储器的位扩展、字扩展和位/字扩展的基本方法，能够按照题目要求设计各种容量和字长的存储器。 　　位扩展，存储器的数据宽度增加，容量不变。 　　字扩展，存储器的容量增加，数据位数保持不变。 　　位/字扩展，存储器的容量和数据位数都增加。 　　4．并行访问存储器 　　要求：了解并行访问存储器、交叉访问存储器和无冲访问存储器提高存储器工作速度的原理。学会利用4′4的无冲突访问存储器实现更大容量的无冲突访问存储器。 　　并行访问存储器：把存储器的位数增加n倍，成为n×w位。为了保持总的存储容量不变，可以把存储器的地址数相应减少n倍，成为m/n个地址。在一个存储周期内就能访问到n个字 　　交叉访问存储器：由多个独立的存储体组成，地址码的低位部分是存储体的体号，高位部分是存储体的体内地址。为了提高工作速度，采用交叉编址和分时启动两项措施。 　　无访问冲突存储器： 　　一维数组：把存储体的个数n选为质数，访问冲突就不存在了。 　　二维数组：实现按行、按列、按对角线和按反对角线访问，并且在不同的变址位移量情况下，都能实现无冲突访问。有两种不同的方法。