半导体随机访问存储器有静态随机访问存储器SRAM（Static Random Access Memory）和动态随机访问存储器DRAM（Dynamic Random Access Memory）两种。SRAM的存储单元由锁存器构成，它不需要刷新，读出之后不需要重写，工作速度比较高，但存储容量小，价格贵，功耗大。DRAM依靠在电容上存储电荷来保存数据，必须每间隔一段时间（如几毫秒）刷新一次，否则，存储器中保存的数据将丢失，而且，DRAM是破坏性读出存储器，读出之后必须重写，但DRAM的存储容量大，价格便宜，功耗小，速度也比较高。