1．按照访问方式划分按照存储器的访问方式，可以分为： 　　(1)随机访问存储器RAM（Random Access Memory） 　　RAM能够按照给定的地址访问任意一个存储单元，而且访问每个存储单元的时间都相同，与这个存储单元所处的位置无关。 　　(2)只读存储器ROM（Read Only Memory） 　　ROM中存储的内容是固定的，通常不能改变。因此，ROM只能随机地读出信息而不能写入信息。ROM的另外一个重要特点是：断电之后，所存储数据仍然能够保存，不会丢失。 　　(3)相联访问存储器 　　相联存储器能够按照所存储的部分内容进行访问，实际上是按照所存储的一部分内容访问存储器中的其他内容。 　　(4)顺序访问存储器SAM（Sequential Access Memory） 　　访问存储器所用的时间由被访问数据所处的物理位置来决定。例如，在磁带存储器中，访问记录在磁带末尾的数据要比访问记录在磁带头部的数据花费更多的时间。 　　(5)半随机访问存储器 　　介于随机访问存储器和顺序访问存储器之间，如磁盘存储器和光盘存储器等，访问每个存储单元的时间可能不相同，但也不象磁带存储器那样，完全由被访问数据所处的物理位置来决定。磁盘、光盘等可以在两个方向上同时寻址，实际的访问时间与发出读写命令时磁头所处的位置等因素有关。 　　(6)堆栈、缓冲栈等 　　堆栈通常采用先进后出（FISO）访问方式，而缓冲栈采用先进先出（FIFO）访问方式。 　　2．按照存储器的物理介质划分 　　目前，在计算机系统中用来存储数据的物理介质主要有半导体、磁表面和激光等几种，其中，只有半导体存储器可以作为计算机系统中的主存储器。在下一节中，我们将详细介绍半导体存储器的主要特性和主存储器的构成方法。磁表面存储器将在第六章中详细介绍。 　　构成半导体存储器的物理介质也有很多种，例如，非饱和的双极型半导体存储器（射极偶合逻辑电路ECL：Emitter Coupled Logic）、饱和的双极型半导体存储器（晶体管-晶体管逻辑电路TTL：Transistor-Transistor Logic），金属半导体氧化物（MOS）存储器等。其中，MOS存储器有分为PMOS、NMOS、CMOS、HMOS等。另外，还有一种用作外存的闪速存储器（Flash Memory）。 　　磁表面存储器主要有磁盘（包括各种硬盘存储器、软磁盘存储器等）、磁带存储器、磁泡存储器等。 　　激光存储器主要有只读的光盘存储器，可读可写的磁光盘存储器等。 　　3．按照断电后是否能够保存数据划分 　　在半导体存储器中，随机存储器（RAM）断电后不能保存信息，例如，一般计算机系统中的主存储器，Cache等。 　　各种只读存储器（ROM）断电后一般都能够保存信息，例如，一般计算机系统中存放引导程序的存储器等。 　　用作外部存储器的各种磁表面存储器和各种激光存储器在断电之后都能够保存信息。 　　另外，按照是否需要刷新可以把存储器分为静态存储器（SRAM：Static RAM）和动态存储器（DRAM：Dynamic RAM）。SRAM的存储单元由锁存器构成，它不需要刷新，读出之后不需要重写，而DRAM是依靠电容上存储的电荷来保存数据的，必须每间隔一段时间（如2毫秒）刷新一次，否则，在存储器中保存的数据将被丢失。